リソグラフィ専門委員会主催

SEAJリソグラフィ専門委員会では、最新のリソ技術や、Logic、DRAM、SCM等のデバイス米の技術、市場動向の講演会開催を通じて、最新情報を会員企業の皆様へ提供し、相互の影響と周辺技術への影響を議論する場を提供することを目的としています。

DSA技術動向  2/18(月)

(1)高分子ブロック共重合体の誘導自己組織化を利用した半導体リソグラフィ

株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター(EIDEC) 

  DSA研究部 部長  東 司  様


 ハーフピッチ15 nmレベル以降の微細化を目指すシリコン半導体デバイス微細加工技術を低コストで実現できる次世代リソグラフィ技術の一つである高分子ブロック共重合体を用いた誘導自己組織化技術 (DSA)について、NEDOプロジェクトのEIDEC DSA研究プログラムの成果を中心に最新動向を報告する。

(2) DSA材料開発

株式会社 堀場エステック   京都福知山テクノロジーセンター
  開発本部 研究開発部 材料チーム 
        チームリーダー  川口 幸男 様

 誘導自己組織化技術(DSA:Directed Self-Assembly)は現状の半導体リソグラフィ技術と組み合わせることによって、10nm以下の規則的なパターン形成が可能であり、既存の露光装置の延命も可能なため次世代のリソグラフィ技術として注目されている。ブロックコポリマー(BCP:Block Copolymer )は規則的な自己組織化、いわゆるミクロ相分離構造を形成する特徴を有しており、DSAリソグラフィ技術のパターン形成材料として使用することが検討されている。BCPの自己組織化によって得られた周期幅のサイズはポリマーの分子量と相関するため、目的のパターンサイズを得るには分子量、組成比を正確に制御する必要がある。また分子量や組成比は半導体デバイスの欠陥に直結するため、BCPの制御は非常に重要な課題である。今回はDSA材料開発について紹介する。
2月18日(月)
■ スケジュール■
13:45-14:00  受 付
14:00-15:00  (1) EIDEC 東様
15:00-15:10  休 憩
15:10-16:10  (2) 堀場エステック 川口様
16:10-17:00  閉会挨拶・アンケート・名刺交換
■会場:東京都トラック総合会館 
   東京都新宿区四谷3-1-8
 ★東京メトロ丸ノ内線「四谷三丁目」駅下車。3番出口より徒歩2分
 JR総武線、中央線および東京メトロ丸ノ内線、南北線「四ツ谷」駅下車。
    1番出口(赤坂口)より徒歩10分、タクシー約4分

 ★会場にはWifi、電源コードがございません。
  必要な方はご用意くださいますようお願いいたします。

 ★会場内でのご飲食は可能ですが、ご飲食の際のゴミはお持ち帰り下さい
  ますようご協力をお願いいたします。
■費用: 無料

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